Un articolo pubblicato sulla rivista “Science” descrive la creazione di un nuovo tipo di transistor con un gate funzionante di un solo nanometro, un miliardesimo di metro, il più piccolo mai realizzato. Un team guidato da Ali Javey del Energy’s Lawrence Berkeley National Laboratory (Berkeley Lab) del Dipartimento dell’Energia americano ha utilizzato nanotubi di carbonio e disolfuro di molibdeno come materiali per realizzare questo transistor al posto del silicio.