Intel e Micron hanno annunciato una nuova tecnologia di produzione di memoria flash NAND 3D. Con i suoi 32 strati di celle flash, permetterà di ottenere memorie di massa con capacità tre volte superiori alle tecnologie NAND concorrenti in “die”, le piastrine di materiale semiconduttore sulle quali sono stati creati i circuiti elettrici, di dimensioni standard. Ne risultano “die” da 256 GB nel tipo MLC (Multi Level Cell) e 384 GB nel tipo (Triple Level Cell).